ANO XXVIII - No.06 - 27/03/2009

ÍNDICE


SEMINÁRIO EXTRA DO DEPARTAMENTO DE FISICA NUCLEAR E DO LABORATÓRIO DE CRISTAIS IONICOS, FILMES FINOS E DATAÇÃO

"Wide Band Gap Semiconductors: Progress, Status, and Potential Roadblocks"

Jaime A. Freitas, Jr. - Naval Research Laboratory, Washington, DC 20375 USA

30 de março, Sala de Seminários do Departamento de Física Nuclear, IFUSP, às 14h

The invention of the transistor and integrated circuit based on silicon semiconductor resulted on the 20th century electronic revolution and promoted silicon as the first generation semiconductor. The development of microwave transistors and laser diodes based on gallium arsenide and indium phosphide material systems ignited the information revolution at the end of the 20th century, and rank them as the second generation semiconductors. The increasing need for electronic devices capable of performing under extreme condition of power, temperature and frequency, and opto-electronic devices operating in the visible and ultraviolet spectral region has been the principal driving force for the research interest in wide band gap material systems over the last two decades. Among them, silicon carbide (SiC) and the III-V Nitrides (GaN, AlN, and theirs alloys) are emerging as the third generation of semiconductors, which may revolutionize both the electronic and optoelectronic industry. These two semiconductor material systems are characterized by a unique combination of extreme values of fundamental physical and chemical properties that enable high efficiency emitters and detectors covering visible and UV spectral regions, high-power solid-state switches and rectifiers, and high power density microwave transistors. Devices based on wide band gap semiconductors should excel the performance of devices based on previous generation semiconductors, or allow the fabrication of devices that could not be produce with the prior semiconductors. Continuous progress in bulk growth, and homo- and hetero-epitaxial deposition techniques has led to the successful fabrication and commercialization of an increasing number of devices using SiC and III-V Nitrides semiconductors. The required high temperature deposition for growth of these semiconductors exacerbates fundamental material problems such as residual strain, thermal expansion coefficient mismatch, low energy defect formation, and impurity incorporation. In addition, doping activation and self-compensation are difficult to control at high deposition temperatures. Full realization of the electronic and optoelectronic application of these materials requires understanding the role of incorporation and activation of unintentional impurities and doping, and intrinsic and extended defects. A description of the state-of-the-art of bulk and epitaxial materials growth and characterization will be presented. In addition, device applications of the SiC and III-V Nitrides material systems, characterized by improved fundamental properties, will be highlighted. 1. Optoelectronic Devices: III-Nitrides, Eds. M. Razeghi and M. Henini, Elsevier, 2004. 2. Silicon Carbide: Recent Major Advances, Eds. W.J. Choyke, H. Matsunami, and G. Pensl, Springer, 2004.


SEMINÁRIO DE ENSINO

"O Professor de Ciências e o Ensino de Astronomia"

Dra Cristina Leite, IFUSP

31 de março, terça-feira, Auditório Adma Jafet, IFUSP, às 16h

 

 

A astronomia é um tema bastante presente tanto nos Parâmetros Curriculares Nacionais quanto nos livros didáticos de Ciências do ensino fundamental. O professor de Ciências, devido sua formação que não contempla este conteúdo, normalmente sente dificuldades em lidar com um tema que gera expectativas nos alunos e também nos próprios professores, além de muitas dúvidas. Várias pesquisas na área de ensino de astronomia têm mostrado que a compreensão deste tema não é simples, gerando concepções bastante distintas das explicações da ciência. Um dos problemas centrais está associado à espacialização dos objetos e fenômenos astronômicos, os quais, na maioria das vezes, são tratados de forma bidimensional a partir do uso de livros didáticos e esquemas representados no quadro-negro. Neste seminário será apresentado um breve panorama das pesquisas envolvendo esta área, trazendo à tona as principais dificuldades dos professores de Ciências relativas ao tema e nossas propostas de trabalho nesta área.


SEMINÁRIO DO GRUPO DE FÍSICA ESTATÍSTICA

 

"O modelo Sznajd com bounded confidence generalizado"

André Timpanaro, Aluno de Doutorado do IFUSP

03 de abril, sexta-feira, Ed. Principal do IFUSP, Ala 1, sala 204, às 14h30

"O modelo Sznajd simula a evolução de opiniões em uma comunidade, com base em uma regra de convencimento em que 2 agentes que se conheçam e concordem entre si tentam convencer outros agentes de sua opinião. A modificação conhecida na literatura como bounded confidence restringe o poder de convencimento dos agentes, impedindo mudanças bruscas de opinião. O resultado é o surgimento de facções e uma polarização do espectro de opiniões entre 2 extremos. Nesse seminário vou apresentar uma generalização dessa idéia, que permite entre outras coisas modelar a polarização entre mais do que 2 extremos e modelar assimetrias na forma de convencimento"


COMISSÃO DE CULTURA E EXTENSÃO UNIVERSITÁRIA

 

Física para Todos - 1º semestre de 2009

 

O Instituto de Física da Universidade de São Paulo (IFUSP) dá prosseguimento ao Ciclo de Palestras Física para Todos no primeiro semestre de 2009. As palestras, proferidas por alguns dos melhores professores e pesquisadores de Física do IFUSP, em linguagem acessível ao público em geral, tratam de temas contemporâneos e relevantes e pretendem mostrar que a Física está presente em muitos aspectos na vida das pessoas.

 

"Física das Baixas Temperaturas - Supercondutividade e Magnetismo"

Prof. Dr. Rafael Sá de Freitas, DFMT, IFUSP

4 de abril, sábado, Estação Ciências, Auditório Ernest Hamburger, às 15h

A obtenção, uso e controle das baixas temperaturas nos laboratórios são fatores cruciais para o desenvolvimento de diversas áreas de pesquisa em Física. A área de estudo dos materiais, responsável pela enorme gama de aplicações tecnológicas usadas em nosso dia a dia, deve grande parte de seu desenvolvimento a nossa capacidade de variar e controlar a temperatura no estudo das propriedades dos diferentes materiais. Neste seminário pretendemos fornecer uma visão geral do uso das baixas temperaturas no estudo de materiais de alto interesse tecnológico e científico. Entre eles trataremos dos materiais supercondutores, cada vez mais presentes em diferentes aplicações que vão da medicina à indústria de motores; e os materiais magnéticos, associados somente na área de gravação de dados a um mercado estimado em centenas de bilhões de dólares anuais.

 

Prêmio L'oréal-Unesco 2009 para Mulheres na Ciência

 

A Profa. Beatriz Barbuy, do Instituto de Astronomia, Geofísica e Ciências Atmosféricas (IAG) da USP, foi uma das cinco ganhadoras do Prêmio L\u2019Oréal-Unesco 2009 para Mulheres na Ciência.

A premiação ocorre todos os anos em celebração ao Dia Internacional da Mulher. Beatriz Barbuy recebeu tal reconhecimento por seus trabalhos sobre a vida das estrelas, desde o nascimento do universo até os dias atuais.

A Profa. Beatriz Barbuy é bacharel em Física pelo Instituto de Física da USP (1972). Atualmente é professora titular do Instituto de Astronomia, Geofísica e Ciências Atmosféricas (IAG) da Universidade de São Paulo. As suas principais linhas de pesquisas são a Astrofísica Estelar e a Astrofísica Extragaláctica, atuando principalmente nos seguintes temas: espectroscopia, diagrama cor magnitude, aglomerados globulares, síntese de populações e evolução estelar.

 

Projeto BAC-2011

(juntos a gente consegue!)

Uma das questões mais importantes que permeia nossa atividade docente no IF nos últimos anos é a discussão de uma reforma do bacharelado. Ministrar um curso de qualidade e atraente aos ingressantes é parte de nossa missão como professores. Diversas tentativas de reforma mais profunda e/ou atualizações curriculares pontuais foram feitas nos últimos anos no IF. Entretanto, parece-nos clara a necessidade de aprofundar a discussão de uma reforma mais substantiva, que envolva o corpo docente do Instituto na tentativa de buscar a convergência de idéias.

A partir dessa constatação, e em sintonia com a Direção do IF, surgiu a sugestão de constituição de um grupo de trabalho, que pudesse tanto propor ao IF uma discussão a respeito dos diferentes aspectos envolvidos na confecção de uma proposta de bacharelado para 2011 como, também, procurar apontar aspectos de convergência de opiniões. O grupo teria como objetivo elaborar uma proposta de bacharelado para ser apreciada pelas instâncias decisórias regimentais. Parece-nos claro que uma proposta, para se tornar viável, deva ser discutida amplamente no Instituto, de forma que todas as eventuais arestas existentes possam ser tratadas e aparadas no processo de construção da proposta. Nesse sentido, a participação do corpo docente e discente do IF deve ser ampla e a transparência do processo total. Foi criada na intranet do IF uma página (http://web.if.usp.br/bac2011) onde o grupo de trabalho proporá temas de discussão e publicará suas conclusões parciais. Os membros do IF poderão (e esperamos que o façam !) colocar lá suas dúvidas, posições já amadurecidas ou em fase de aprofundamento. Dessa forma, estaremos alimentando o grupo de trabalho como também a comunidade estará sendo alimentada por ele. Enfatizamos mais uma vez que a vocação desse grupo de trabalho não é desmerecer quaisquer instâncias do IF mas sim catalisar um movimento que tenha como finalidade única a construção de uma proposta de bacharelado para 2011, que nos auxilie ainda mais a cumprir nossa missão como docentes da Universidade de São Paulo.

O grupo está constituído pelos Professores Drs. ALEXANDRE ALARCON DO PASSO SUAIDE, ANTONIO FERNANDO RIBEIRO DE TOLEDO PIZA, ANTONIO MARTINS FIGUEIREDO NETO, HENRIQUE FLEMING, PAULO ALBERTO NUSSENZVEIG e PAULO REGINALDO PASCHOLATI.


TESES E DISSERTAÇÕES

DISSERTAÇÃO DE MESTRADO
Rodrigo Ramos da Silva
"Estudo teórico do comportamento térmico de superfícies de diamante(100) monohidrogenadas"
Comissão Examinadora: Profs. Drs. Marília Junqueira Caldas (orientadora - IFUSP), Maria Cecília Barbosa da Silveira Salvadori (IFUSP) e João Francisco Justo Filho (EPUSP)
02/04, quinta-feira, Ed. Principal do IFUSP, Ala 2, Sala 209, às 14h

TESE DE DOUTORADO
Edwin Hobi Junior
"Estudo teórico da evolução dinâmica de nanofios de ouro puros e com impurezas"
Comissão Examinadora: Profs. Drs. Antonio José Roque da Silva (orientador - IFUSP),
Sylvio Roberto Accioly Canuto (IFUSP), Marilia Junqueira Caldas (IFUSP), Márcio Teixeira do Nascimento Varella (UFABC) e Varlei Rodrigues (UNICAMP)
03/04, sexta-feira, Ed. Principal do IFUSP, Ala 2, Sala 209, às 14h

Comunicado da Comissão de Pós-Graduação INTERUNIDADES

DISSERTAÇÃO DE MESTRADO
Angella da Cruz Guerra França
"Formação do íon e estrutura atômica: análise das relações estabelecidas por alunos do Ensino Médio, numa atividade do Ensino de Química"
Comissão Examinadora: Profas. Dras. Maria Eunice Ribeitro Marcondes (orientadora \u2013 IQ/USP), Jesuina Lopes de Almeida Pacca (IF/USP) e Rejane Maria Ghisolfi da Silva (UFU).
02/04, quinta-feira, Auditório Novo 1, IFUSP, às 13h

Maria Christina Fernandes Bueno
"Os textos originais para ensinar conceitos de mecânica"
Comissão Examinadora: Profas. Dras. Jesuina Lopes de Almeida Pacca (orientadora \u2013 IF/USP), Cibelle Celestino Silva (IFSCar/USP) e Sonia Maria Dion (USJT).
03/04, sexta-feira, Sala 105 do Edifício Basílio Jafet, IFUSP, às 9h30


ATIVIDADES DA SEMANA


2ª. FEIRA, 30.03.09

Seminário Extra do Departamento de Física Nuclear e do Laboratório de Cristais Ionicos, Filmes Finos e Datação.
"Wide Band Gap Semiconductors: Progress, Status, and Potential Roadblocks"
Jaime A. Freitas, Jr., Naval Research Laboratory, Washington, DC 20375 USA
Sala de Seminários do Departamento de Física Nuclear, IFUSP, às 14h

Colóquio do Departamento de Física Matemática - DFMA
"Aplicações Recentes da Teoria das Supercordas"
Prof. Dr. Nathan Jacob Berkovits, IFT
Ed. Principal do IFUSP, Ala Central , Sala Jayme Tiomno, às 16h


3ª. FEIRA, 31.03.09

Seminário de Ensino
"O Professor de Ciências e o Ensino de Astronomia"
Dra. Cristina Leite, IFUSP
Auditório Adma Jafet, IFUSP, às 16h

Seminário do Grupo de Hádrons e Física Teórica (GRHAFITE)
"Ressonâncias Escalares: um Modelo para o Kappa"
Patrícia C. Magalhães, Doutoranda do IFUSP
Ed. Principal do IFUSP, Ala 2, Sala 335, às 17h


4ª. FEIRA, 01.04.09

Seminário do Grupo de Física Molecular e Modelagem - DFGE
"Métodos de Simulação de Docking de Interações Enzima-Inibidor"
Evanildo Gomes Lacerda Júnior, Estudante de doutorado do DFGE
Ed. Principal do IFUSP, Ala 1, Sala 204, às 10h


6ª. FEIRA, 03.04.09

Seminário do Grupo de Física Estatística - DFGE
"O modelo Sznajd com bounded confidence generalizado"
André Timpanaro, Aluno de Doutorado do IFUSP
Ed. Principal do IFUSP, Ala 1, Sala 204, às 14h30

Seminário do GFCx - DFEP
"Medidas Preliminares de Difusão de DNA"
Cássio Alves, Aluno de Mestrado do IFUSP
Auditório Adma Jafet, IFUSP, às 16h


SÁBADO, 04.04.09

Física para Todos
"Física das Baixas Temperaturas - Supercondutividade e Magnetismo"
Prof. Dr. Rafael Sá de Freitas, DFMT, IFUSP
Estação Ciência, Aud. Ernest Hamburger, às 15h


B I F U S P - Uma publicação semanal do Instituto de Física da USP

Editor: Prof. Dr. Antônio Domingues dos Santos

Secretária: Silvana Sampaio

Textos e informações assinados são de responsabilidade de seus autores

São divulgadas no BIFUSP as notícias encaminhadas até 4a feira, às 12h, impreterivelmente

Tel: 3091-6900 - Fax: 3091-6701 - e-mail: bifusp@if.usp.br - Home page: www.if.usp.br

 

 
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