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ANO XVIII - No.28 - 24/09/1999
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bIFUSPANO XVIII - No.28 - 24/09/1999 | |
No último dia 20 foi realizada a Cerimônia de Colação de Grau dos formandos do IF. Formaram-se 26 bacharéis e 25 licenciados.
A eleição para os representantes discentes junto ao Conselho Universitário e Conselhos Centrais será realizada no próximo dia 28/09, das 9:00 às 21:30, na Seção de Alunos do IF.
O quadro de candidatos encontra-se disponível na Assistência Acadêmica, Seção de Alunos, Secretaria da Pós-Graduação e CEFISMA.
"SISTEMAS SEMICONDUTORES DE BAIXA DIMENSIONALIDADE"
Prof. José Roberto Leite, IFUSP
30.09.99, Auditório Abrahão de Moraes, às 16h
O papel fundamental que os semicondutores desempenham na ciência e tecnologia do mundo moderno vem dos dispositivos fabricados com estes materiais e das descobertas de novos fenômenos físicos associados a estes dispositivos. Muitas destas descobertas foram agraciadas com o prêmio Nobel. A junção metal-semicondutor, chamada de contato Schottky, foi historicamente a primeira aplicação tecnológica de uma junção semicondutora. As leis fundamentais que controlam o comportamento destas junções foram reconhecidas pela primeira vez por Schottky e Mott. A chamada junção pn deu origem ao transistor bipolar, anunciado ao público através de uma conferência de imprensa em Nova York em 30 de junho de 1948. Por esta extraordinária descoberta, Shockley, Bardeen e Brattain receberam o prêmio Nobel de Física de 1956. Aproveitando o tunelamento quântico dos portadores entre a banda de valência e a banda de condução destas junções, Leo Esaki inventou o diodo túnel, recebendo por isto o prêmio Nobel de Física de 1973. Em um trabalho não aceito para publicação de 1971, Esaki e Tsu mostraram que o fenômeno de tunelamento dos elétrons poderia ser muito melhor explorado se houvesse a possibilidade de construir junções perfeitas entre dois materiais semicondutores diferentes (heterojunções). Estas heteroestruturas foram viabilizadas na década de setenta através das técnicas de crescimento por epitaxia de feixe molecular. Controlando a fabricação destas heteroestruturas em uma escala de engenharia atômica (10-9m- 10-10m) inaugurou-se a era dos materiais nanoestruturados utilizados em larga escala na moderna nanoeletrônica. Estas nanoestruturas revelaram fenômenos físicos de grande beleza através do confinamento de elétrons em poços quânticos, fios quânticos e pontos quânticos. Estes sistemas semicondutores de baixa dimensionalidade ou de duas, uma ou zero dimensões, deram origem a várias descobertas fundamentais na Física, entre elas o efeito Hall quântico inteiro e o efeito Hall quântico fracionário. Pela primeira descoberta, Klaus von Klitzing recebeu o prêmio Nobel de Física de 1985; pela segunda, Stormer, Tsui e Laughlin receberam o prêmio Nobel de 1998.
Neste colóquio será feito um breve resumo das atividades em física básica e aplicada desenvolvidas no Laboratório de Novos Materiais Semicondutores do IFUSP na área de sistemas semicondutores de baixa dimensionalidade. Será dada ênfase ao extraordinário avanço feito nos últimos três anos na indústria de optoeletrônica baseada em nanoestruturas semicondutoras de nitretos do grupo III. Será dada uma visão pessoal sobre o que existe de realmente novo e que é entusiástico sobre a Física desses "novos materiais".
"RADIAÇÕES: RISCOS E BENEFÍCIOS"
Profa. Dra. Emico Okuno, IFUSP
28.09.99, Auditório Adma Jafet, às 16h
Solicitação de Bolsas de Doutorado no País do CNPq para 2000
Já estão disponíveis os formulários para solicitação de bolsas (novas e renovações) de doutorado ao CNPq para o ano 2000. As solicitações via internet poderão ser enviadas até 15 de outubro. Informações detalhadas e preenchimento do formulário via internet estão acessíveis no endereço http://www.cnpq.br Apenas os orientadores fazem solicitação de bolsas.
Propostas de Cursos para o 1o e 2o Semestres de 2000
Informamos que o prazo para recebimento de propostas de cursos a serem ministrados no ano 2000 (primeiro e segundo semestres) será, impreterivelmente, até 30/9/99.
XVII CONGRESSO DA SOCIEDADE BRASILEIRA DE MICROSCOPIA E MICROANÁLISE
A SBMM estará realizando de 13 a 16 de Outubro próximo o seu XVII Congresso, na cidade de Santos, SP, no Centro de Convenções Mendes Hotéis. O evento constará de conferências, mesas redondas, cursos e apresentação de painéis, além de uma exposição por parte de firmas comerciais. A Reunião está sendo organizada em conjunto com o X Congresso da Sociedade Brasileira de Biologia Celular, e contará com a contribuição de diversos conferencistas convidados do exterior, tanto da área de Ciências dos Materiais como nas áreas Biológicas. Maiores informações podem ser obtidas no endereço http://sbmm.icb.usp.br ou na Secretaria do Congresso, http://sbmm.ceme@epm.br.
Prof. Pedro K. Kiyohara, Laboratório de Microscopia Eletrônica, FGE
A FAPESP estará em férias coletivas no período de 03 a 22 de janeiro de 2000.
Durante esse período somente serão recebidas as correspondências enviadas pelo correio.
Em face do feriado municipal do dia 25 de janeiro, o expediente da FAPESP voltará ao seu horário normal a partir de 26/01/2000.
Já estão disponibilizados os novos manuais e formulários para apresentação de pedidos de auxílio e bolsas à FAPESP, que poderão ser utilizados a partir de setembro de 1999 e durante todo o ano de 2000, consulte o endereço: http://saturno.fapesp.br.
MAPA DE RISCO
Em conformidade com a Norma Regulamentadora NR-5 do Ministério do Trabalho, encaminhamos ao Diretor do IFUSP e à Divisão de Higiene, Segurança e Medicina do Trabalho da USP o Mapa de Risco do IFUSP, que consiste no preparo de um desenho/mapa de sinalização e potencialização de riscos físicos, químicos, biológicos, mecânicos e ergonômicos.
Em sua elaboração, convencionou-se atribuir uma cor a cada tipo de risco e representá-la em círculos:
VERDE: Físico; VERMELHO: Químico; MARROM: Biológico; AZUL: Mecânico; AMARELO: Ergonômico.
a. Agentes Físicos: são representados no ambiente de trabalho através de ruídos, vibrações, temperaturas anormais, radiações ionizantes, radiações não-ionizantes, iluminação e umidade.
b. Agentes Químicos: entendem-se como produtos que podem penetrar no organismo, afetando vários órgãos, causando alterações em sua estrutura e/ou funcionamento.
c. Agentes Biológicos: são microorganismos causadores de doenças com os quais pode o trabalhador entrar em contato no exercício de diversas atividades profissionais (por exemplo, bactérias, fungos, helmintos, protozoários, vírus).
d. Agentes Mecânicos: o agente mecânico é toda situação de risco que pode gerar acidentes imediatos, tais como:
- Máquinas sem proteção: os riscos provocados pelas partes móveis das máquinas nos pontos de operação ou de transmissão de força devem ser eliminados pela proteção das máquinas; a ausência de proteção pode acarretar acidentes graves.
- Matéria-prima sem especificação, com defeito ou má qualidade, podendo provocar acidentes graves, doenças profissionais, queda de qualidade de produção.
- Arranjo físico deficiente: máquinas muito próximas, passagens obstruídas, etc., causando acidentes e desgaste físico excessivo.
- Ferramentas inadequadas, defeituosas ou desgastadas podem provocar acidentes, principalmente com repercussão nos membros superiores.
- Equipamento de proteção individual inadequado; por exemplo, o uso de luvas para o trabalho com furadeiras, ou o uso de máscaras com filtro químico para gases ácidos, no trabalho com solventes. Este tipo de risco pode gerar acidentes e doenças profissionais.
e. Agentes Ergonômicos: são aqueles relacionados com fatores fisiológicos e psicológicos inerentes à execução das atividades profissionais. Estes fatores podem produzir alterações no organismo e no estado emocional dos trabalhadores, comprometendo a sua saúde, segurança e produtividade.
CIPA-IFUSP
Gestões 97/98 e 98/99
Seminário de ensino
"Radiações: riscos e benefícios"
Profa. Dra. Emico Okuno, IFUSP
Auditório Adma Jafet, às 16h
SEMINÁRIO DO DEPARTAMENTO DE FÍSICA DOS MATERIAIS E MECâNICA
"Estudos de primeiros princípios das superfícies (110) dos semicondutores III-N e adsorção de NF3 sobre a superfície de Si (100)"
Ronei Miotto, IFUSP
Ed. Mário Schenberg, Sala de Seminários, às 16h
Seminário do Grupo de Física Nuclear Teórica e Fenomenologia de Partículas Elementares (FINPE) - DFEP/DFNC
"Código hidrodinâmico usando "smoothed particle hydrodynamics" - um projeto"
Dr. Otávio Socolowski Jr., IFUSP
Ed. Principal, Ala II, Sala 335, às 17h
SEMINÁRIO DO DEPARTAMENTO DE FÍSICA MATEMÁTICA
"Percolação em grafos "
Prof. Dr. Roberto Schonmann, UCLA
Ed. Principal, Ala Central, Sala Jayme Tiomno, às 14h
Seminário do Grupo de Mecânica Estatística
"Modelagem de redes de neurônios por equações diferenciais com retardo"
Profa. Dra. Coraci Pereira Malta, IFUSP
Ed. Principal, Ala I, Sala 312, às 14h
SEMINÁRIO DO LABORATÓRIO DE MANIPULAÇÃO COERENTE DE ÁTOMOS E LUZ (LMCAL-FEP)
"Colisões frias mediadas por fótons e o operador de Wigner"
Prof. Dr. Reginaldo Napolitano, IFSC-USP
Ed. Basílio Jafet, Sala 105, às 14h
Seminário do Laboratório do Acelerador Linear
"Correção a posteriori da instabilidade de sistema de deteção"
Theotônio Mendes Pauliquevis Júnior, IFUSP
Biblioteca do Acelerador Linear, às 15h
SEMINÁRIO DO DEPARTAMENTO DE FÍSICA NUCLEAR
"Teoria da informação e modelagem não-linear"
Luis Anibal Diambra, IFUSP
Ed. Pelletron, Sala 156, às 16h
SEMINÁRIO DO LABORATÓRIO DE FÍSICA DE PLASMAS
"Usando caos para controlar o encontro de satélites"
Dr. Elbert A. Macau, INPE
Ed. Basílio Jafet, Sala 105, às 14h
SEMINÁRIO DO LABORATÓRIO DE MICROSCOPIA ELETRÔNICA
"Estudo de aluminas de transição por métodos óptico-eletrônicos"
Simone Perche de Toledo, IFUSP
Ed. Principal, Ala I, Sala 201, às 14h
Tese de doutorado
Douglas Casagrande
"Adsorção atômica e molecular de cloro sobre a superfície livre de silício"
Comissão Examinadora: Profs. Drs. Armando Corbani Ferraz (orientador), Alain André Quivy, Alex Antonelli - UNICAMP, Rodrigo Barbosa Capaz - UFRJ e Wagner Nunes Rodrigues - UFMG
Ed. Principal, Ala II, Sala 209, às 14h30
COLÓQUIO
B I F U S P - Uma publicação semanal editada pelo IFUSP Responsável: Prof. Silvio R. A. Salinas - Coordenador: Prof. Hercílio Rodolfo Rechenberg Diagramação: Rosangela Trevisan Rodrigues São divulgadas no BIFUSP as notícias encaminhadas até 4a feira, às 12h, impreterivelmente Tel: 818-6900/6907 - Fax: 818-6701 - e-mail: bifusp@if.usp.br - Home page: www.if.usp.br
"SISTEMAS SEMICONDUTORES DE BAIXA DIMENSIONALIDADE"
Prof. José Roberto Leite, IFUSP